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晶湛半導體

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新聞媒體

氮化鎵外延領軍企業晶湛半導體完成數億元戰略融資

(202231日,蘇州) 近日,蘇州晶湛半導體有限公司(晶湛半導體)宣布完成B+輪數億元戰略融資。本輪融資由歌爾微電子(歌爾股份002241.SZ 控股子公司)領投,高瓴創投、惠友資本、創新工場、禾創致遠、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投,老股東元禾控股、湖杉資本等繼續加碼。


            


晶湛半導體由業界公認的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延技術的開拓者程凱博士于20123月回國創辦,坐落于蘇州市工業園區,擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發和產業化基地,致力于為電力電子、射頻電子以及微顯示等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案,也是目前國際上唯一可供應300mm硅基氮化鎵外延產品的廠商,技術實力處于國際領先地位。

在公司發展過程中,晶湛在業內創造過多項第一。2014年底,晶湛半導體就率先在全球首次發布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產品,經有關下游客戶驗證,該材料具備全球領先的技術指標和卓越的性能,填補了國內氮化鎵產業的空白。20219月,晶湛半導體又成功全球首發12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片,贏得了業內廣泛關注。經過多年的專注發展,晶湛半導體已經成為國內GaN材料研發和產業化的領軍企業,通過與全球數百家知名半導體科技企業、高??蒲性核蛻艚V泛深入的合作,多次在行業頂級期刊Nature Electronics,IEEE Electron Device Letters,及國際頂級會議IEDM等發布相關創新成果,引起國際半導體界的廣泛關注和一致好評。

晶湛半導體高度重視自主研發和核心知識產權工作,在氮化鎵外延領域已掌握多項核心技術, 擁有完全獨立的自主知識產權,晶湛半導體目前已在國內外累計申請近400項專利,其中已獲得超100項專利授權。公司還先后榮獲蘇州市技術發明一等獎、蘇州工業園區專利授權十佳企業、蘇州工業園區知識產權高質量創造獎、江蘇省百件優質發明專利、江蘇省高質量發明專利、蘇州市優秀專利獎、國家高新技術企業、蘇州市獨角獸培育企業、 蘇州市企業工程技術研究中心等一系列資質和榮譽。

近年來,在國家“十四五”規劃、“碳達峰碳中和”等重磅利好政策的指導下,在移動手機快充、新能源汽車、下一代移動通信、“元宇宙”和新型顯示等市場創新應用的持續推動下,氮化鎵迎來了高速發展的歷史機遇期,已成為半導體產業的明日之星。本次B+輪戰略融資將主要用于晶湛半導體總部和研發中心建設,項目達產后晶湛半導體將建成國際一流、國內首屈一指的氮化鎵電力電子、射頻電子以及微顯示材料研發生產基地,推動晶湛半導體進入新的發展階段。

 

 

 

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電話:+86 512 6270 6800

地址:蘇州市工業園區金雞湖大道99號蘇州納米城西北區20517-A

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