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氮化鎵外延領軍企業晶湛半導體完成數億元戰略融資 2022-3-3
(2022年3月1日，蘇州) 近日，蘇州晶湛半導體有限公司（“晶湛半導體”）宣布完成B+輪數億元戰略融資。
晶湛半導體總部大樓正式奠基 2021-12-2
2021年12月2日上午，晶湛半導體總部大樓建設項目奠基儀式在蘇州工業園區納米城正式舉行
晶湛半導體成功突破12英寸硅基氮化鎵HEMT外延技術 2021-9-23
2021年9月23日，由蕪湖市人民政府和SEMI中國共同主辦的“化合物半導體制造技術論壇”在安徽省蕪湖市成功舉辦
10000V！氮化鎵功率器件擊穿電壓新紀錄 2021-6-10
美國弗吉尼亞理工大學電力電子技術中心（CPES）和蘇州晶湛半導體團隊合作攻關，通過采用蘇州晶湛新型多溝道AlGaN/GaN異質結構外延片，以及運用pGaN降低表面場技術（p- GaN reduced surface field (RESURF)制備的肖特基勢壘二極管(SBD)，成功實現了超過10kV的超高擊穿電壓。
蘇州晶湛半導體發布新型多溝道異質結構外延片產品，提高電力電子系統的轉化效率 2021-4-21
2021年4月21日，蘇州晶湛半導體有限公司發布了新型多溝道AlGaN/GaN異質結構外延片產品，在保持高電子遷移率的同時，將載流子濃度提高了4倍以上
程凱博士應邀參加工業園區科信局舉辦的“科技創享匯” 2019-3-25
3月25日，由蘇州工業園區科技和信息化局主辦的“科技創享匯”如期舉行
硅上的多通道三柵極III-氮化物高電子遷移率晶體管 2019-1-30
目前瑞士和中國的研究人員共同制造出具有五個III族氮化物半導體溝道能級的三柵極金屬氧化物半導體高電子遷移率晶體管，從而提高了靜電控制和驅動電流
蘇州晶湛半導體有限公司參加2018中國集成電路產業促進大會 2018-11-8
2018中國集成電路產業促進大會——功率半導體主題研討會于2018年11月8日上午在重慶順利召開。研討會由中國電子信息產業發展研究院主辦，超摩爾研究室主任朱邵歆博士主持
